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R&S RTO/RTE 示波器:16 位元高解析度,精準量測 MOSFET RDS(on) 與高動態訊號

  • 作家相片: Sonya Chan
    Sonya Chan
  • 9月21日
  • 讀畢需時 4 分鐘

專為電動車與混合動力車設計,有效克服高動態訊號量測挑戰


開發電動驅動系統時,驅動電子裝置功率效率是關鍵參數,其中,驅動電子裝置傳導損耗尤其重要,而決定傳導損耗的一個關鍵參數就是 MOSFET 的 RDS(on),當切換 MOSFET 處於關閉狀態時,其汲極源極電壓很高;但當其開啟時,電壓會降至僅數百毫伏特,因此,量測這些低電壓需要高解析度示波器,為了確保 RDS(on) 量測的準確性,探棒補償與正確的探測方式同樣至關重要。


測試任務


為了計算工作反向模式MOSFET 的 RDS(on),需要量測其汲極電流汲極源極電壓,然而,由於切換期間,關閉狀態的汲極源極電壓很高,且存在突波,因此,使用標準示波器典型的 8 位元解析度難以量測開啟狀態下相對較小的汲極源極電壓;此外,不佳的探棒補償與錯誤的探測技術會顯著扭曲訊號,即使示波器提供必要的動態範圍,也會導致不正確的量測結果。


測試解決方案


搭配 R&S®RTO/R&S®RTE 示波器、其高畫質模式high definition mode)以及正確的探測技術,便能在高動態範圍條件下量測 RDS(on) 所需的汲極源極電壓,藉由數位低通濾波,可實現最高 16 位元垂直解析度,有效降低雜訊並提高訊噪比


使用者可以將頻寬1 GHz 限制到 10 kHz10 位元16 位元),可選擇不同的頻段,這讓使用者能夠觀察到切換式電源供應器應用中,汲極源極電壓等微小訊號細節,這些細節在一般情況下會消失在雜訊中。


應用


正確的探測技術與探棒補償以實現精準量測


當量測具有高頻率成分訊號時,探測的一個關鍵在於保持探測連接訊號接腳和接地連接)形成的迴路盡可能短,R&S®RT-ZP10 被動探棒彈簧式探頭,搭配接地接觸彈簧,可提供安全接觸,並最大限度減少量測訊號上的雜訊干擾耦合;因此,該機種可直接探測 MOSFET 的 PIN 腳與本體,準確的探棒補償對於高解析度量測也同樣重要,探棒補償不良會引入量測誤差,導致讀數不準確,這也可能影響本應用卡片中建議的差動量測


對於 MOSFET 接腳皆未接地的量測,必須使用主動式差動探棒,此處,R&S®RT-ZD10 1 GHz 主動式差動探棒特別實用,其配備額外的 10:1 衰減器,可將探棒電壓範圍擴展至 70 V DC / 46 V AC峰值)。


在高畫質模式下分析極微小的訊號細節


R&S®RTO-K17/R&S®RTE-K17 高畫質選配為使用者提供一個非常彈性的方式,可提高 R&S®RTO/R&S®RTE 數位示波器解析度,該軟體選配採用數位濾波來增加示波器解析度,最高可達 16 位元,即使在動態範圍極高的條件下,也能進行詳細分析,高畫質模式可透過幾個簡單步驟快速設定:


  • 按下 “Mode” 按鈕。

  • 在 “Acquisition” 選項中,按下 “Option Mode” 並選擇 “High definition”。

  • 根據需要調整頻寬,系統將自動顯示所得的解析度


所選頻寬應盡可能低,以獲得足夠的解析度,但也應盡可能高,以最大限度減少濾波所造成的訊號失真。理想的量測頻寬必須依個案情況決定。


在 50 MHz 頻寬的高畫質模式下使用波形平均,可將垂直解析度提高至 16 位元,大幅放大的波形能清楚顯示。
50 MHz 頻寬高畫質模式下使用波形平均,可將垂直解析度提高至 16 位元,大幅放大的波形能清楚顯示。

計算 RDS(on) 時避免偏移問題


在如此不同的電壓準位下進行量測,需要額外的步驟才能獲得正確結果,此時,僅僅將 MOSFET 兩端的汲極源極電壓除以汲極電流來計算 RDS(on)示波器偏移準確度已不足夠,且當使用 Rogowski 探棒量測流經 MOSFET 汲極接腳的電流時,只能量測汲極電流AC 成分,因此,示波器上量測到的電流將具有 DC 偏移。


為了解決此問題,可利用 MOSFET 開啟狀態下,汲極電流在某個時間區間內會呈現恆定或幾乎恆定的斜率,因此,在高畫質模式下,採用差動方法來計算 RDS(on) 是一個合理的方式,步驟如下:


  • 調整示波器垂直刻度,使包括突波在內的最大汲極源極電壓不超過示波器輸入電壓範圍,否則,過載飽和效應會降低汲極源極電壓量測的準確性。

  • 使用縮放模式顯示汲極源極電壓,使汲極源極電壓斜率清晰可見。

  • 啟用波形平均功能,以消除任何殘留的非目標雜訊干擾

  • 量測汲極源極電壓斜率,得到 ΔuD

  • 在與 ΔuD 相同的時間區間內,量測 MOSFET 汲極電流斜率,得到 ΔiD

  • ΔuD 除以 ΔiD 來計算 RDS(on)


上面螢幕截圖說明了此量測過程。


總結


R&S®RTO-K17/R&S®RTE-K17 高畫質選配,可以量測在典型 8 位元示波器雜訊中會遺失的訊號細節,因此,該機種能夠量測開關模式電源供應器應用中,RDS(on) 等訊號具有高動態範圍的參數,在使用上,必須注意採用正確的探測技術與準確的探棒補償,因為兩者都可能為量測結果引入顯著的誤差,建議在各種條件下進行量測,以驗證此類高動態量測的結果,確保量測的準確性。

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